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1N4732ATR

1N4732ATR

참조 용

부품 번호 1N4732ATR
PNEDA 부품 번호 1N4732ATR
설명 DIODE ZENER 4.7V 1W DO41
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,676
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 29 - 12월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4732ATR 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4732ATR
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N4732ATR, 1N4732ATR 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 933.59 KB)
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1N4732ATR 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)4.7V
공차±5%
전력-최대1W
임피던스 (최대) (Zzt)8 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-65°C ~ 200°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-41

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공차

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전력-최대

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임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOD-123F

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

30V

공차

±5%

전력-최대

350mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 21V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

43V

공차

±2%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

45 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 33V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 500mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

75V

공차

±5%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

140 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 56V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

Axial

BZX55C18 A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

18V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

50 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 14V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 100mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

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