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1N4742AHA0G

1N4742AHA0G

참조 용

부품 번호 1N4742AHA0G
PNEDA 부품 번호 1N4742AHA0G
설명 DIODE ZENER 12V 1W DO204AL
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 6,228
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4742AHA0G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4742AHA0G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N4742AHA0G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)12V
공차±5%
전력-최대1W
임피던스 (최대) (Zzt)40 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 22.8V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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13V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

13 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 9.9V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

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패키지 / 케이스

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SOD-123

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공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

230 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 52V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

±5%

전력-최대

1.3W

임피던스 (최대) (Zzt)

125 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 47.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

MMSZ5262BT1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

51V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

125 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 39V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

SZMMSZ4708T1G

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제조업체

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

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전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 16.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

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