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1N4747AE3

1N4747AE3

참조 용

부품 번호 1N4747AE3
PNEDA 부품 번호 1N4747AE3
설명 ZENER DIODES
제조업체 Microsemi
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재고 있음 7,074
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4747AE3 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4747AE3
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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  • 1N4747AE3 Distributor

1N4747AE3 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)-
공차-
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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공차

±1.96%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 1.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC

PLZ3V0A-HG3/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, PLZ

전압-제너 (Nom) (Vz)

2.96V

공차

±3.72%

전력-최대

960mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AC

공급자 장치 패키지

DO-219AC (microSMF)

JAN1N6336US

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/533

전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

40 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 25V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, B

공급자 장치 패키지

B, SQ-MELF

GDZ5V6B-G3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.6V

공차

±2%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

60 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 2.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

BZX384C15-E3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

15V

공차

±5%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 10.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

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