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1N4751A R1G

1N4751A R1G

참조 용

부품 번호 1N4751A R1G
PNEDA 부품 번호 1N4751A-R1G
설명 DIODE ZENER 30V 1W DO204AL
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 8,532
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 24 - 12월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4751A R1G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4751A R1G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N4751A R1G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)30V
공차±5%
전력-최대1W
임피던스 (최대) (Zzt)40 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 22.8V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)

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-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.8V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 5.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA

공급자 장치 패키지

DO-213AA

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

20V

공차

±2%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

24 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 15V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

JANTX1N4484CUS

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/406

전압-제너 (Nom) (Vz)

62V

공차

±2%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

250nA @ 49.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, A

공급자 장치 패키지

D-5A

1N5335/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.9V

공차

±20%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

2 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

1N5245B_T50R

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

15V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

16 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 11V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

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