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1N4752A-T50A

1N4752A-T50A

참조 용

부품 번호 1N4752A-T50A
PNEDA 부품 번호 1N4752A-T50A
설명 DIODE ZENER 33V 1W DO41
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4752A-T50A 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4752A-T50A
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
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1N4752A-T50A 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)33V
공차±5%
전력-최대1W
임피던스 (최대) (Zzt)45 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 25.1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-65°C ~ 200°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-41

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전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

2 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

JANTX1N4984D

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/435

전압-제너 (Nom) (Vz)

120V

공차

±1%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

170 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 91.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E, Axial

공급자 장치 패키지

E, Axial

1N5928A G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

13V

공차

±10%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

7 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 9.9V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

1N5956BE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

200V

공차

±5%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

1.2 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 152V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

BZT52C6V2S-7-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.2V

공차

±6%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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