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1N4755A B0G

1N4755A B0G

참조 용

부품 번호 1N4755A B0G
PNEDA 부품 번호 1N4755A-B0G
설명 DIODE ZENER 43V 1W DO204AL
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 7,740
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4755A B0G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4755A B0G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N4755A B0G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)43V
공차±5%
전력-최대1W
임피던스 (최대) (Zzt)70 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 32.7V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)

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공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

700nA @ 5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

15V

공차

-

전력-최대

800mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 11V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

DO-219AB (SMF)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

13V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 9.9V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

MELF DO-213AB

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.6V

공차

±6%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

90 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

MMBZ5251BLT1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

22V

공차

±5%

전력-최대

225mW

임피던스 (최대) (Zzt)

29 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 17V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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