1N4757A R1G
참조 용
| 부품 번호 | 1N4757A R1G |
| PNEDA 부품 번호 | 1N4757A-R1G |
| 설명 | DIODE ZENER 51V 1W DO204AL |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,356 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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1N4757A R1G 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 1N4757A R1G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
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1N4757A R1G 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | - |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 51V |
| 공차 | ±5% |
| 전력-최대 | 1W |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 95 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 38.8V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-204AL, DO-41, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | DO-204AL (DO-41) |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) - 공차 - 전력-최대 - 임피던스 (최대) (Zzt) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 180V 공차 ±20% 전력-최대 3W 임피던스 (최대) (Zzt) 800 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 136.8V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-216AA 공급자 장치 패키지 DO-216AA |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/358 전압-제너 (Nom) (Vz) 19V 공차 ±5% 전력-최대 50W 임피던스 (최대) (Zzt) 2.2 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 13.7V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 10A 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AB, DO-5, Stud 공급자 장치 패키지 DO-5 |
제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 5.1V 공차 ±5% 전력-최대 350mW 임피던스 (최대) (Zzt) 17 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 2V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 900mV @ 10mA 작동 온도 -65°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 68V 공차 ±2% 전력-최대 3W 임피던스 (최대) (Zzt) 120 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 51.2V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-216AA 공급자 장치 패키지 DO-216AA |
