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1N4758AHB0G

1N4758AHB0G

참조 용

부품 번호 1N4758AHB0G
PNEDA 부품 번호 1N4758AHB0G
설명 DIODE ZENER 56V 1W DO204AL
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 7,074
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4758AHB0G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4758AHB0G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N4758AHB0G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)56V
공차±5%
전력-최대1W
임피던스 (최대) (Zzt)110 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 42.6V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)

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시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

24V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 21.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

4.3V

공차

±2%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

9 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

1PMT4129CE3/TR7

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWERMITE®

전압-제너 (Nom) (Vz)

62V

공차

±2%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

250 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 47.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216

BZX55C11

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

11V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 8.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

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제조업체

SMC Diode Solutions

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

18V

공차

±5%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

12 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 13.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-40°C ~ 165°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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