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1N4768

1N4768

참조 용

부품 번호 1N4768
PNEDA 부품 번호 1N4768
설명 DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,812
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4768 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4768
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N4768 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)9.1V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)350 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도0°C ~ 75°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-제너 (Nom) (Vz)

91V

공차

±2%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

200 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 68V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 500mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

BZT52-B4V3X

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

4.3V

공차

±2.09%

전력-최대

590mW

임피던스 (최대) (Zzt)

95 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

SMBG5947BE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

82V

공차

±5%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

160 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 62.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-215AA, SMB Gull Wing

공급자 장치 패키지

SMBG (DO-215AA)

JANTX1N3824AUR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/115

전압-제너 (Nom) (Vz)

4.3V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

9 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AB (MELF, LL41)

JAN1N5544DUR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/437

전압-제너 (Nom) (Vz)

28V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 25.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

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