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1N4768

1N4768

참조 용

부품 번호 1N4768
PNEDA 부품 번호 1N4768
설명 DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,812
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 21 - 12월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4768 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4768
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N4768 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)9.1V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)350 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도0°C ~ 75°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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4.3V

공차

-

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

JANTX1N3824AUR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/115

전압-제너 (Nom) (Vz)

4.3V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

9 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AB (MELF, LL41)

JAN1N5544DUR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/437

전압-제너 (Nom) (Vz)

28V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 25.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

MMBZ5252BLT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

24V

공차

±5%

전력-최대

225mW

임피던스 (최대) (Zzt)

33 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 18V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

SMBG5947BE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

82V

공차

±5%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

160 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 62.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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