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1N4965US

1N4965US

참조 용

부품 번호 1N4965US
PNEDA 부품 번호 1N4965US
설명 DIODE ZENER 20V 5W
제조업체 Semtech
단가 견적 요청
재고 있음 4,356
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1N4965US 리소스

브랜드 Semtech
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4965US
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
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1N4965US 사양

제조업체Semtech Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)20V
공차±5%
전력-최대5W
임피던스 (최대) (Zzt)4.5 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr2µA @ 15.2V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-55°C ~ 175°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SQ-MELF
공급자 장치 패키지-

관심을 가질만한 제품

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

11V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

22 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 8.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

1N5930B G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

16V

공차

±5%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 12.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

1N5245C-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

15V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

16 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 11V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

1N5739C

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

13V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 9V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

MMSZ5244C-G3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

14V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 10V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

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