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1N5221B-T

1N5221B-T

참조 용

부품 번호 1N5221B-T
PNEDA 부품 번호 1N5221B-T
설명 DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 4,644
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5221B-T 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5221B-T
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N5221B-T, 1N5221B-T 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 46.06 KB)
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1N5221B-T 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)2.4V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)30 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 200°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

관심을 가질만한 제품

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

7.5V

공차

±2%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

1.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 5.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

CDLL5232A

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.6V

공차

±10%

전력-최대

10mW

임피던스 (최대) (Zzt)

11 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

DO-213AB

TZX15X-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

15V

공차

-

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

40 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 11.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

JANTXV1N6340

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

JAN1N829UR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/159

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.2V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA

공급자 장치 패키지

DO-213AA

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