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1N5224C-TAP

1N5224C-TAP

참조 용

부품 번호 1N5224C-TAP
PNEDA 부품 번호 1N5224C-TAP
설명 DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 4,068
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5224C-TAP 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5224C-TAP
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N5224C-TAP, 1N5224C-TAP 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 94.8 KB)
PDF1N5267B-T 데이터 시트 표지
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1N5224C-TAP 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)2.8V
공차±2%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)30 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr75µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 200mA
작동 온도175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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공차

±2%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

175 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 56V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AB (MELF, LL41)

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

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전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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전압-제너 (Nom) (Vz)

51V

공차

±1%

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

300 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 38.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

19V

공차

±5%

전력-최대

350mW

임피던스 (최대) (Zzt)

23 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 14V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

CDLL4107

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

13V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

200 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 9.9V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

DO-213AB

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