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1N5226B-TAP

1N5226B-TAP

참조 용

부품 번호 1N5226B-TAP
PNEDA 부품 번호 1N5226B-TAP
설명 DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 90,546
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5226B-TAP 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5226B-TAP
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N5226B-TAP, 1N5226B-TAP 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 94.8 KB)
PDF1N5267B-T 데이터 시트 표지
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  • 1N5226B-TAP Distributor

1N5226B-TAP 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)3.3V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)28 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr25µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 200mA
작동 온도175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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Micro Commercial Co

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

±7%

전력-최대

350mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

CZ5355B BK

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

18V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

2.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 13.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AA, DO-27, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201

CDLL5257B

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±5%

전력-최대

10mW

임피던스 (최대) (Zzt)

58 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 25V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

DO-213AB

2EZ10D2/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

10V

공차

±2%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

3.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 7.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

1N970B TR

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

24V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

33 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 18.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

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