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1N5230B

1N5230B

참조 용

부품 번호 1N5230B
PNEDA 부품 번호 1N5230B
설명 DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5230B 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5230B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N5230B, 1N5230B 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 307.56 KB)
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1N5230B 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)4.7V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)19 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr2µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 200°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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제조업체

ON Semiconductor

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전압-제너 (Nom) (Vz)

22V

공차

±6%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

55 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 17V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

PLZ30B-G3/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

30V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

55 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 23V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AC

공급자 장치 패키지

DO-219AC (microSMF)

1N4976

Semtech

제조업체

Semtech Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

56V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

35 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 42.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

Axial

BZX84J-B6V8,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.8V

공차

±2%

전력-최대

550mW

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-90, SOD-323F

공급자 장치 패키지

SOD-323F

MMSZ5230C-G3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

4.7V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

19 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

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