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1N5274BDO35E3

1N5274BDO35E3

참조 용

부품 번호 1N5274BDO35E3
PNEDA 부품 번호 1N5274BDO35E3
설명 DIODE ZENER 130V 500MW DO35
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 4,248
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5274BDO35E3 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5274BDO35E3
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N5274BDO35E3, 1N5274BDO35E3 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 192.4 KB)
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1N5274BDO35E3 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)130V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)1.1 kOhms
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 99V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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Comchip Technology

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전압-제너 (Nom) (Vz)

60V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

40 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 45.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

CZRUR52C9V1-HF

Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

9.1V

공차

±5%

전력-최대

150mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

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제조업체

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시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.8V

공차

±2%

전력-최대

300mW

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

4.68V

공차

±2.67%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

25 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TUMD2M

1N5344A/TR12

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

8.2V

공차

±10%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

1.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 5.9V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

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