1N5350B
참조 용
| 부품 번호 | 1N5350B | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | 1N5350B | ||||||||||||||||||
| 설명 | DIODE ZENER 13V 5W T18 | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Microsemi | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 726 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 2월 27 - 3월 4 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
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1N5350B 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 1N5350B |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
| 데이터 시트 |
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1N5350B 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 13V |
| 공차 | ±5% |
| 전력-최대 | 5W |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 2.5 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 1µA @ 9.4V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.2V @ 1A |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | T-18, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | T-18 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101 전압-제너 (Nom) (Vz) 16V 공차 ±2% 전력-최대 250mW 임피던스 (최대) (Zzt) 40 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 50nA @ 11.2V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 900mV @ 10mA 작동 온도 -65°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 TO-236AB (SOT23) |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 3.9V 공차 ±5% 전력-최대 5W 임피던스 (최대) (Zzt) 500 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 175µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 1A 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SQ-MELF, E 공급자 장치 패키지 D-5B |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 12V 공차 ±10% 전력-최대 2W 임피던스 (최대) (Zzt) 9 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 9.1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AC, SMA 공급자 장치 패키지 DO-214AC |
