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1N5357/TR8

1N5357/TR8

참조 용

부품 번호 1N5357/TR8
PNEDA 부품 번호 1N5357-TR8
설명 DIODE ZENER 20V 5W T18
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,888
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 24 - 12월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5357/TR8 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5357/TR8
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N5357/TR8, 1N5357/TR8 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 150.89 KB)
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  • 1N5357/TR8 Distributor

1N5357/TR8 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)20V
공차±20%
전력-최대5W
임피던스 (최대) (Zzt)3 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 14.4V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 1A
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스T-18, Axial
공급자 장치 패키지T-18

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제조업체

Microsemi Corporation

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24V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

150 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 18.3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

1N5377BRL

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

91V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

75 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 69.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

Axial

MMBZ5251BW-7-F

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

22V

공차

±5%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

29 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 17V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

1N3009RB

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

130V

공차

±5%

전력-최대

10W

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 98.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 2A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AA, DO-4, Stud

공급자 장치 패키지

DO-213AA

MTZJT-7727B

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

27V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

45 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 21V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AG, DO-34, Axial

공급자 장치 패키지

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