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1N5357B

1N5357B

참조 용

부품 번호 1N5357B
PNEDA 부품 번호 1N5357B
설명 DIODE ZENER 20V 5W T18
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 8,532
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5357B 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5357B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N5357B, 1N5357B 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 150.89 KB)
PDF1N5388E3/TR8 데이터 시트 표지
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  • 1N5357B Distributor

1N5357B 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)20V
공차±5%
전력-최대5W
임피던스 (최대) (Zzt)3 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 14.4V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 1A
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스T-18, Axial
공급자 장치 패키지T-18

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임피던스 (최대) (Zzt)

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전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

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150°C

장착 유형

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Taiwan Semiconductor Corporation

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51V

공차

±5.88%

전력-최대

800mW

임피던스 (최대) (Zzt)

60 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 39V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

22V

공차

-

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

65 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 17V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

TZX5V6B-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.6V

공차

-

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

40 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

1N4491

Semtech

제조업체

Semtech Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

120V

공차

±5%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

400 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

250nA @ 96V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

Axial

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