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1N5363AE3/TR12

1N5363AE3/TR12

참조 용

부품 번호 1N5363AE3/TR12
PNEDA 부품 번호 1N5363AE3-TR12
설명 DIODE ZENER 30V 5W T18
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,272
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5363AE3/TR12 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5363AE3/TR12
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N5363AE3/TR12, 1N5363AE3/TR12 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 150.89 KB)
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  • 1N5363AE3/TR12 Distributor

1N5363AE3/TR12 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)30V
공차±10%
전력-최대5W
임피던스 (최대) (Zzt)8 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 21.6V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 1A
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스T-18, Axial
공급자 장치 패키지T-18

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Microsemi Corporation

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20V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

18 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 15V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, B

공급자 장치 패키지

B, SQ-MELF

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/533

전압-제너 (Nom) (Vz)

4.3V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

18 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, B

공급자 장치 패키지

B, SQ-MELF

DZ2J140M0L

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

14V

공차

±2.5%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

40 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 10V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 10mA

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

20V

공차

±5%

전력-최대

1.85W

임피던스 (최대) (Zzt)

3 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 15V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SOD-64, Axial

공급자 장치 패키지

SOD-64

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

22V

공차

±2%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

3.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 15.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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