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1N5367B/TR8

1N5367B/TR8

참조 용

부품 번호 1N5367B/TR8
PNEDA 부품 번호 1N5367B-TR8
설명 DIODE ZENER 43V 5W T18
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,040
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5367B/TR8 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5367B/TR8
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N5367B/TR8, 1N5367B/TR8 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 150.89 KB)
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1N5367B/TR8 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)43V
공차±5%
전력-최대5W
임피던스 (최대) (Zzt)20 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 31V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 1A
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스T-18, Axial
공급자 장치 패키지T-18

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전압-제너 (Nom) (Vz)

200V

공차

±5%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

1.5 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

250nA @ 160V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

Axial

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

16V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

16 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 12.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

3EZ5.1D2/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

±2%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

3.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

JAN1N4956D

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/356

전압-제너 (Nom) (Vz)

8.2V

공차

±1%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

1.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 6.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E, Axial

공급자 장치 패키지

E, Axial

BZX84C24-7-F-79

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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