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1N5376BRLG

1N5376BRLG

참조 용

부품 번호 1N5376BRLG
PNEDA 부품 번호 1N5376BRLG
설명 DIODE ZENER 87V 5W AXIAL
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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1N5376BRLG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5376BRLG
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N5376BRLG, 1N5376BRLG 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 194.52 KB)
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1N5376BRLG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)87V
공차±5%
전력-최대5W
임피던스 (최대) (Zzt)75 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 66V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 1A
작동 온도-65°C ~ 200°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스T-18, Axial
공급자 장치 패키지Axial

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공차

±6%

전력-최대

225mW

임피던스 (최대) (Zzt)

55 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 14V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

BZT55C10-GS18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

10V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 7.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-80 Variant

공급자 장치 패키지

SOD-80 QuadroMELF

1N4742ATR

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

12V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

9 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 9.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

CDLL4492

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

130V

공차

±5%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

500 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

250nA @ 104V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AB (MELF, LL41)

JAN1N5525B-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/437

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.2V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

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