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1N5383AE3/TR8

1N5383AE3/TR8

참조 용

부품 번호 1N5383AE3/TR8
PNEDA 부품 번호 1N5383AE3-TR8
설명 DIODE ZENER 150V 5W T18
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,588
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5383AE3/TR8 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5383AE3/TR8
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
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  • 1N5383AE3/TR8 Distributor

1N5383AE3/TR8 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)150V
공차±10%
전력-최대5W
임피던스 (최대) (Zzt)330 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 108V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 1A
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스T-18, Axial
공급자 장치 패키지T-18

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Micro Commercial Co

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

1N5928BUR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

13V

공차

±5%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

7 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 9.9V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

DO-213AB

CZRUR52C6V8-HF

Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.8V

공차

±5%

전력-최대

150mW

임피던스 (최대) (Zzt)

8 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

0603/SOD-523F

CDLL5305

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

1N5952BPE3/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

130V

공차

±5%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

450 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 98.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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