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1N5397-E3/54

1N5397-E3/54

참조 용

부품 번호 1N5397-E3/54
PNEDA 부품 번호 1N5397-E3-54
설명 DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO204AL
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
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예상 배송 12월 28 - 1월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5397-E3/54 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5397-E3/54
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
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  • 1N5397-E3/54 Distributor

1N5397-E3/54 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)1.5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.4V @ 1.5A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)2µs
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)
작동 온도-접합-50°C ~ 150°C

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전류-평균 정류 (Io)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

100pF @ 4V, 1MHz

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Through Hole

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

60A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.04V @ 60A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

650µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

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V10P10HM3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

680mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

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속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

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