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1N5407G A0G

1N5407G A0G

참조 용

부품 번호 1N5407G A0G
PNEDA 부품 번호 1N5407G-A0G
설명 DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 2,160
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 22 - 12월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5407G A0G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5407G A0G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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1N5407G A0G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)800V
전류-평균 정류 (Io)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 3A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지DO-201AD
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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30V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

90V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

850mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 90V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

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Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

875mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

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