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1N5520B

1N5520B

참조 용

부품 번호 1N5520B
PNEDA 부품 번호 1N5520B
설명 ZENER DIODE
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,276
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5520B 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5520B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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  • 1N5520B Distributor

1N5520B 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈*
전압-제너 (Nom) (Vz)-
공차-
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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SMBJ5362AE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

28V

공차

±10%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

6 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 20.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMBJ (DO-214AA)

1N5346AE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

9.1V

공차

±10%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

2 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

7.5µA @ 6.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

2M18Z R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

18V

공차

±5%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 13.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AC (DO-15)

1PMT4104/TR7

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWERMITE®

전압-제너 (Nom) (Vz)

10V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

200 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 7.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216

1PMT5915C/TR7

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.9V

공차

±2%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

7.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216AA

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