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1N5527B

1N5527B

참조 용

부품 번호 1N5527B
PNEDA 부품 번호 1N5527B
설명 ZENER DIODE
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 2,628
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 28 - 2월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5527B 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5527B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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  • 1N5527B Distributor

1N5527B 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈*
전압-제너 (Nom) (Vz)-
공차-
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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공차

±5%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

135 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 56V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC

1N4754UR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

39V

공차

±10%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

60 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 29.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

DO-213AB

CDLL822

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

SMZJ3795B-M3/5B

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

18V

공차

±5%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

12 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 13.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMBJ)

BZS55B8V2 RXG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

8.2V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

7 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 6.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

1206 (3216 Metric)

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1206

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