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1N5532B

1N5532B

참조 용

부품 번호 1N5532B
PNEDA 부품 번호 1N5532B
설명 ZENER DIODE
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,614
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 29 - 12월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5532B 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5532B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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  • 1N5532B Distributor

1N5532B 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈*
전압-제너 (Nom) (Vz)-
공차-
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-제너 (Nom) (Vz)

68V

공차

±2%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

130 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 51V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC

CZ5387B BK

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

190V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

450 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 144V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AA, DO-27, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201

1N5952B G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

130V

공차

±5%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

450 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 98.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

BZG04-22-M3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

BZG04-M

전압-제너 (Nom) (Vz)

27V

공차

-

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 22V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 500mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

CZRW5228B-G

Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.9V

공차

±5%

전력-최대

350mW

임피던스 (최대) (Zzt)

23 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

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