1N5553US
참조 용
| 부품 번호 | 1N5553US |
| PNEDA 부품 번호 | 1N5553US |
| 설명 | DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,768 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 26 - 12월 31 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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1N5553US 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 1N5553US |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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1N5553US 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 800V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 3A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.2V @ 9A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 2µs |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 1µA @ 800V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SQ-MELF, B |
| 공급자 장치 패키지 | B, SQ-MELF |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 175°C |
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제조업체 SMC Diode Solutions 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 2.5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 2.5A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 2.5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 45pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지 DO-15 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
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