1N5615US
참조 용
| 부품 번호 | 1N5615US |
| PNEDA 부품 번호 | 1N5615US |
| 설명 | DIODE GEN PURP 200V 1A D5A |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,294 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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1N5615US 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 1N5615US |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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- 1N5615US Distributor
1N5615US 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 200V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 1A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.6V @ 3A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 150ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 500nA @ 200V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 45pF @ 12V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SQ-MELF, A |
| 공급자 장치 패키지 | D-5A |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 6A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 5.5µs 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F 110pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 P600, Axial 공급자 장치 패키지 P600 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 60V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 750mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 200µA @ 60V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AC, SMA 공급자 장치 패키지 DO-214AC (SMA) 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 35V 전류-평균 정류 (Io) 15A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 560mV @ 15A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1.75mA @ 35V 커패시턴스 @ Vr, F 900pF @ 5V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지 D2PAK 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Powerex Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) 250A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 800A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 11µs 전류-역방향 누설 @ Vr 50mA @ 1200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-205AB, DO-9, Stud 공급자 장치 패키지 DO-205AB, DO-9 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 * 다이오드 유형 - 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) - 전류-평균 정류 (Io) - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 속도 - 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 - |
