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1N5731C

1N5731C

참조 용

부품 번호 1N5731C
PNEDA 부품 번호 1N5731C
설명 DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,474
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5731C 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5731C
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N5731C 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)6.2V
공차±1%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)10 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr3µA @ 4V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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4.3V

공차

-

전력-최대

800mW

임피던스 (최대) (Zzt)

7 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

DO-219AB (SMF)

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

18V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 13.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

1N5352B

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

15V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

2.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 11.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

Axial

JANTXV1N3029BUR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/115

전압-제너 (Nom) (Vz)

24V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

25 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 18.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AB (MELF, LL41)

YFZVFHTR5.1B

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.07V

공차

±2.56%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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