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1N5735C

1N5735C

참조 용

부품 번호 1N5735C
PNEDA 부품 번호 1N5735C
설명 DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,030
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 31 - 1월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5735C 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5735C
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N5735C 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)9.1V
공차±1%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)15 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 6V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

150V

공차

±10%

전력-최대

50W

임피던스 (최대) (Zzt)

75 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 114V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 10A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-204AD

공급자 장치 패키지

TO-204AD (TO-3)

CRY82(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

8.2V

공차

±10%

전력-최대

700mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 4.9V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123F

공급자 장치 패키지

S-FLAT (1.6x3.5)

MM5Z8V2ST5G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

1N5264B (DO-35)

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

60V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

170 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 46V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

BZX84C5V6-E3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.6V

공차

±5%

전력-최대

300mW

임피던스 (최대) (Zzt)

40 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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