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1N5750B

1N5750B

참조 용

부품 번호 1N5750B
PNEDA 부품 번호 1N5750B
설명 DIODE ZENER 39V 500MW DO35
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,006
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 29 - 12월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5750B 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5750B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N5750B 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)39V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)130 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 27V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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3.3V

공차

±6.1%

전력-최대

350mW

임피던스 (최대) (Zzt)

95 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

1N5361B/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

27V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 19.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

SMZJ3802BHM3/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MMBZ5257C-G3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±2%

전력-최대

225mW

임피던스 (최대) (Zzt)

58 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 25V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

1PMT5934B/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

24V

공차

±5%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

19 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 18.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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