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1N5920B G

1N5920B G

참조 용

부품 번호 1N5920B G
PNEDA 부품 번호 1N5920B-G
설명 DIODE ZENER 6.2V 1.25W DO204AL
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,042
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5920B G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5920B G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N5920B G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)6.2V
공차±5%
전력-최대1.25W
임피던스 (최대) (Zzt)2 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 4V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

6.8V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

3 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, B

공급자 장치 패키지

B, SQ-MELF

NZX8V2C,133

Nexperia

제조업체

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시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

8.2V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

700nA @ 5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200A

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

ALF2

1PMT5949A/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

100V

공차

±10%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

250 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 76V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216AA

TFZVTR4.7B

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

4.7V

공차

-

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

25 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TUMD2M

SMPZ3919B-E3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.6V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-220AA

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