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1N5930D G

1N5930D G

참조 용

부품 번호 1N5930D G
PNEDA 부품 번호 1N5930D-G
설명 DIODE ZENER 16V 1.25W DO204AL
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 2,664
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5930D G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5930D G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N5930D G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)16V
공차±1%
전력-최대1.25W
임피던스 (최대) (Zzt)10 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 12.2V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)

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전압-제너 (Nom) (Vz)

10V

공차

±6%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

7 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

DFLZ18-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

18V

공차

±6%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 13V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

POWERDI®123

공급자 장치 패키지

PowerDI™ 123

1M110Z A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

110V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

450 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 83.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

2EZ3.6D2E3/TR12

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.6V

공차

±2%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

80µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

1N5345B/TR12

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

8.7V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

2 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 6.25V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

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