1N5947B
참조 용
| 부품 번호 | 1N5947B | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | 1N5947B | ||||||||||||||||||
| 설명 | ZENER DIODE | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Microsemi | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 15,702 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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1N5947B 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 1N5947B |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
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- 1N5947B Distributor
1N5947B 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | * |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | - |
| 공차 | - |
| 전력-최대 | - |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | - |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 200V 공차 ±5% 전력-최대 5W 임피던스 (최대) (Zzt) 480 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 500nA @ 152V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 1A 작동 온도 -65°C ~ 200°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 T-18, Axial 공급자 장치 패키지 Axial |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 12V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 30 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 9.1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 900mV @ 10mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-123 공급자 장치 패키지 SOD-123 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 15V 공차 ±20% 전력-최대 5W 임피던스 (최대) (Zzt) 2.5 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 10.8V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 1A 작동 온도 -65°C ~ 150°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 T-18, Axial 공급자 장치 패키지 T-18 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/435 전압-제너 (Nom) (Vz) 10V 공차 ±2% 전력-최대 5W 임피던스 (최대) (Zzt) 2 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 25µA @ 7.6V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 1A 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 E-MELF 공급자 장치 패키지 D-5B |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 5.6V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 11 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 3V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 200°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 |
