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1N6330US

1N6330US

참조 용

부품 번호 1N6330US
PNEDA 부품 번호 1N6330US
설명 ZENER DIODE
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 4,284
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N6330US 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N6330US
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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  • 1N6330US Distributor

1N6330US 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈*
전압-제너 (Nom) (Vz)-
공차-
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

JANTX1N4619D-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/435

전압-제너 (Nom) (Vz)

3V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

1.6 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

400nA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

1N5253B-T

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

25V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

35 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 19V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

JAN1N4112-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/435

전압-제너 (Nom) (Vz)

18V

공차

±5%

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 13.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

1N6013D

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

36V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

95 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 27V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

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