1N6625E3
참조 용
| 부품 번호 | 1N6625E3 |
| PNEDA 부품 번호 | 1N6625E3 |
| 설명 | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,094 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 20 - 6월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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1N6625E3 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 1N6625E3 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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- 1N6625E3 Distributor
1N6625E3 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 1100V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 1A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.95V @ 1.5A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 80ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 1µA @ 1000V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | A, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | A, Axial |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 150°C |
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제조업체 Powerex Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 300V 전류-평균 정류 (Io) 250A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-205AB, DO-9, Stud 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 120V 전류-평균 정류 (Io) 20A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 930mV @ 20A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 20µA @ 120V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 TO-220AC 작동 온도-접합 175°C (Max) |
제조업체 Powerex Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 100A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.55V @ 470A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 7µs 전류-역방향 누설 @ Vr 30mA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-205AA, DO-8, Stud 공급자 장치 패키지 DO-205AA (DO-8) 작동 온도-접합 -65°C ~ 200°C |
