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1N6626US

1N6626US

참조 용

부품 번호 1N6626US
PNEDA 부품 번호 1N6626US
설명 DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF
제조업체 Microsemi
단가
1 ---------- $137.1689
50 ---------- $130.7391
100 ---------- $124.3093
200 ---------- $117.8795
400 ---------- $112.5214
500 ---------- $107.1632
재고 있음 9,088
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1N6626US 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N6626US
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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  • Microsemi Distributor
  • 1N6626US Price
  • 1N6626US Distributor

1N6626US 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)220V
전류-평균 정류 (Io)1.75A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.35V @ 2A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)30ns
전류-역방향 누설 @ Vr2µA @ 220V
커패시턴스 @ Vr, F40pF @ 10V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SQ-MELF, A
공급자 장치 패키지A-MELF
작동 온도-접합-65°C ~ 150°C

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

FR1G-LTP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

-50°C ~ 150°C

ES1F R3G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

18pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

VS-STPS30L60CW-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

800mV @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

480µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

RS1JLHRTG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

800mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 800mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

250ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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