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1N6632

1N6632

참조 용

부품 번호 1N6632
PNEDA 부품 번호 1N6632
설명 DIODE ZENER 3.3V 5W AXIAL
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,524
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N6632 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N6632
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N6632 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)3.3V
공차±5%
전력-최대5W
임피던스 (최대) (Zzt)500 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr300µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 1A
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스E, Axial
공급자 장치 패키지E, Axial

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시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

6 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 200mA

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

공급자 장치 패키지

SOD-80 MiniMELF

CDLL3830

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

1PMT4123E3/TR7

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWERMITE®

전압-제너 (Nom) (Vz)

39V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

200 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 29.65V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216

JANS1N6313CUS

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/533

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.6V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

25 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, B

공급자 장치 패키지

B, SQ-MELF

SMAJ5948AE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

91V

공차

±10%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

200 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 69.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

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