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1N747A TR

1N747A TR

참조 용

부품 번호 1N747A TR
PNEDA 부품 번호 1N747A-TR
설명 DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35
제조업체 Central Semiconductor Corp
단가 견적 요청
재고 있음 2,646
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N747A TR 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N747A TR
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N747A TR, 1N747A TR 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 327.13 KB)
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1N747A TR 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)3.6V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)24 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 200°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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전압-제너 (Nom) (Vz)

2.4V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

1.4 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

MMSZ9V1ET1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

9.1V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

2EZ6.8D/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.8V

공차

±20%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

2 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

4.7V

공차

±5%

전력-최대

250mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

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제조업체

Comchip Technology

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

8.2V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

1.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 6.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

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