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1N756A

1N756A

참조 용

부품 번호 1N756A
PNEDA 부품 번호 1N756A_6B
설명 DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $2.0718
250 ---------- $1.9747
500 ---------- $1.8776
1,000 ---------- $1.7805
2,500 ---------- $1.6995
5,000 ---------- $1.6186
재고 있음 23,236
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1N756A 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N756A
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N756A, 1N756A 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 293.61 KB)
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  • 1N756A Distributor

1N756A 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)8.2V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)8 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 200°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

100V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

350 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 76V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

PTZTE253.6B

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.8V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

60µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

PMDS

KDZVTR5.1B

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

-

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123F

공급자 장치 패키지

PMDU

JANTXV1N981DUR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/117

전압-제너 (Nom) (Vz)

68V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

230 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 52V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

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