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1N914BWS

1N914BWS

참조 용

부품 번호 1N914BWS
PNEDA 부품 번호 1N914BWS
설명 DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 1,831,128
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N914BWS 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N914BWS
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
1N914BWS, 1N914BWS 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 170.62 KB)
PDF1N4448WS 데이터 시트 표지
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1N914BWS 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)75V
전류-평균 정류 (Io)150mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 100mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)4ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 75V
커패시턴스 @ Vr, F4pF @ 0V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-90, SOD-323F
공급자 장치 패키지SOD-323F
작동 온도-접합150°C (Max)

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

BYD33MGP-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

300ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

SS14-7000HE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

BYM12-400HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

SUPERECTIFIER®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

14pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AB

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

SBR3U60P5Q-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Super Barrier

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

620mV @ 3A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerDI™ 5

공급자 장치 패키지

PowerDI™ 5

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

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