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1N987B

1N987B

참조 용

부품 번호 1N987B
PNEDA 부품 번호 1N987B
설명 DIODE ZENER 120V 500MW DO7
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,688
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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1N987B 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N987B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N987B, 1N987B 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 151.27 KB)
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  • 1N987B Distributor

1N987B 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)120V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)900 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 91.2V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AA, DO-7, Axial
공급자 장치 패키지DO-7

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전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

-

전력-최대

250mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 1.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-923

공급자 장치 패키지

SOD-923

TSZU52C2V7 RGG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

2.7V

공차

±5%

전력-최대

150mW

임피던스 (최대) (Zzt)

83 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

75µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

0603 (1608 Metric)

공급자 장치 패키지

0603

1PGSMC5361 R7G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

27V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 20.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

1PMT5935E3/TR7

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

27V

공차

±20%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

23 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 20.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216AA

3EZ170D5E3/TR12

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

170V

공차

±5%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

650 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 130.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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