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1PGSMA4755 R3G

1PGSMA4755 R3G

참조 용

부품 번호 1PGSMA4755 R3G
PNEDA 부품 번호 1PGSMA4755-R3G
설명 DIODE ZENER
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 30,960
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 26 - 12월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1PGSMA4755 R3G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1PGSMA4755 R3G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1PGSMA4755 R3G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)43V
공차±5%
전력-최대1.25W
임피던스 (최대) (Zzt)70 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 32.7V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지DO-214AC (SMA)

관심을 가질만한 제품

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

1N4900

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

12.8V

공차

±5%

전력-최대

400mW

임피던스 (최대) (Zzt)

200 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-25°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AA, DO-7, Axial

공급자 장치 패키지

DO-7

BZX84-C3V3,235

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.3V

공차

±5%

전력-최대

250mW

임피던스 (최대) (Zzt)

95 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB

PDZVTR12B

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

12.75V

공차

±5.88%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

8 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 9V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-128

공급자 장치 패키지

PMDTM

MMSZ5261C-E3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

47V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

105 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 36V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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