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1PGSMB5935 R5G

1PGSMB5935 R5G

참조 용

부품 번호 1PGSMB5935 R5G
PNEDA 부품 번호 1PGSMB5935-R5G
설명 DIODE ZENER 27V 3W DO214AA
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 18,912
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1PGSMB5935 R5G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1PGSMB5935 R5G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1PGSMB5935 R5G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)27V
공차±5%
전력-최대3W
임피던스 (최대) (Zzt)23 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 20.6V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AA, SMB
공급자 장치 패키지DO-214AA (SMB)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-제너 (Nom) (Vz)

2.8V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

75µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

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제조업체

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시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

75V

공차

±5%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

85 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 56V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

20.15V

공차

±5%

전력-최대

550mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 14V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

2.7V

공차

±7%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

30V

공차

-

전력-최대

800mW

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 22V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

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Surface Mount

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