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1SD418F2-CM1200HC-66H

1SD418F2-CM1200HC-66H

참조 용

부품 번호 1SD418F2-CM1200HC-66H
PNEDA 부품 번호 1SD418F2-CM1200HC-66H
설명 MODULE GATE DVR P&P SCALE 1
제조업체 Power Integrations
단가 견적 요청
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1SD418F2-CM1200HC-66H 리소스

브랜드 Power Integrations
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1SD418F2-CM1200HC-66H
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
1SD418F2-CM1200HC-66H, 1SD418F2-CM1200HC-66H 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 134.3 KB)
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1SD418F2-CM1200HC-66H 사양

제조업체Power Integrations
시리즈SCALE™-1
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급14.5V ~ 15.5V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)-
입력 유형-
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)100ns, 100ns
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

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드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

12.5V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

1.1V, 1.9V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

290mA, 430mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

75ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SO

IGD515EI

Power Integrations

제조업체

Power Integrations

시리즈

SCALE™-1

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

12V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

0.9V, 3.8V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

15A, 15A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 40ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

LM5101CSDX/NOPB

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

2.3V, -

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

118V

상승 / 하강 시간 (일반)

990ns, 715ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-WSON (4x4)

MCP14A0155-E/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

11.5ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

TPS2835DRG4

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.7A, 2.4A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

28V

상승 / 하강 시간 (일반)

50ns, 40ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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