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1SS427,L3M

1SS427,L3M

참조 용

부품 번호 1SS427,L3M
PNEDA 부품 번호 1SS427-L3M
설명 DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD923
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 270,894
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1SS427 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1SS427,L3M
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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1SS427 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)80V
전류-평균 정류 (Io)100mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 100mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)1.6ns
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 80V
커패시턴스 @ Vr, F0.3pF @ 0V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-923
공급자 장치 패키지SOD-923
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

530mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

800µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

90pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

DO-219AB (SMF)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

30HFU-600

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.45V @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

80ns

전류-역방향 누설 @ Vr

35µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-203AB

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C

VS-4EGH06-M3/5BT

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

FRED Pt®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

41ns

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMB

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

APT20SCD120S

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

68A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 20A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

1135pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

D3Pak

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

PMEG6010CEJ/ZLF

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

1A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

660mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

60pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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