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1SV271TPH3F

1SV271TPH3F

참조 용

부품 번호 1SV271TPH3F
PNEDA 부품 번호 1SV271TPH3F
설명 RF DIODE PIN 50V USC
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 5,904
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 21 - 4월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1SV271TPH3F 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1SV271TPH3F
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF

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  • 1SV271TPH3F Distributor

1SV271TPH3F 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)50V
현재-최대50mA
커패시턴스 @ Vr, F0.4pF @ 50V, 1MHz
저항 @ If, F4.5Ohm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)-
작동 온도125°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-76, SOD-323
공급자 장치 패키지USC

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현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

75mW

작동 온도

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패키지 / 케이스

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전압-피크 역방향 (최대)

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현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.8pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

600mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

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제조업체

Skyworks Solutions Inc.

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다이오드 유형

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현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

75mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

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제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

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다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

500V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.7pF @ 100V, 1MHz

저항 @ If, F

300mOhm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

175°C (TJ)

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

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Broadcom

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다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

350mA

커패시턴스 @ Vr, F

6.7pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

650mOhm @ 100mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

350mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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