20ETF12S
참조 용
| 부품 번호 | 20ETF12S |
| PNEDA 부품 번호 | 20ETF12S |
| 설명 | DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,138 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
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20ETF12S 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 20ETF12S |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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- 20ETF12S Distributor
20ETF12S 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 1200V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 20A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.31V @ 20A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 400ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 100µA @ 1200V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 공급자 장치 패키지 | D2PAK |
| 작동 온도-접합 | -40°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Micro Commercial Co 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 10A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 10A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 R6, Axial 공급자 장치 패키지 R-6 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 40A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.95V @ 40A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 500ns 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AB, DO-5, Stud 공급자 장치 패키지 DO-203AB 작동 온도-접합 -40°C ~ 125°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1000V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 8A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 50µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지 D-Pak 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 80V 전류-평균 정류 (Io) 75A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 840mV @ 75A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1mA @ 80V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AB, DO-5, Stud 공급자 장치 패키지 DO-5 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 70A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.4V @ 70A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 500ns 전류-역방향 누설 @ Vr 25µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AB, DO-5, Stud 공급자 장치 패키지 DO-5 작동 온도-접합 -40°C ~ 125°C |
