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2DA1201YQTC

2DA1201YQTC

참조 용

부품 번호 2DA1201YQTC
PNEDA 부품 번호 2DA1201YQTC
설명 TRANS PNP 120V 0.8A SOT89
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 3,096
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2DA1201YQTC 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2DA1201YQTC
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2DA1201YQTC, 2DA1201YQTC 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 388.37 KB)
PDF2DA1201YQTC 데이터 시트 표지
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2DA1201YQTC 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 100mA, 5V
전력-최대1.5W
주파수-전환160MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-243AA
공급자 장치 패키지SOT-89-3

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

85 @ 500mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

45MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

625mW

주파수-전환

250MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

XN09D5700L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP + Diode (Isolated)

전류-수집기 (Ic) (최대)

2.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

320mV @ 50mA, 2.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

전력-최대

600mW

주파수-전환

180MHz

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6

공급자 장치 패키지

MINI6-G1

BC548C B1G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

전력-최대

500mW

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92

MJD44H11-1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 400mA, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

1μA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 4A, 1V

전력-최대

1.75W

주파수-전환

85MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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